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2차원 정공가스가 존재하는 p-type 변조 도우핑 소자의 특성 연구 = Study on p-type modulation doped structured device with two dimensional hole gas
서명 / 저자 2차원 정공가스가 존재하는 p-type 변조 도우핑 소자의 특성 연구 = Study on p-type modulation doped structured device with two dimensional hole gas / 전상훈.
저자명 전상훈 ; Jeon, Sang-Hoon
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1995].
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8005563

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MEE 95063

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초록정보

A quantum mechanical and numerical charge control scheme, which includes strain effect, was developed to simulate p-type MODFET structure and other two dimensional hole gas device structure. KL hamiltonian and Poisson equation are solved iteratively till convergence is reached. The calculation is carried out for InGaAs/AlGaAs strained HEMT structure and the results were found to have a good agreement with published experimental data in qualitative manner. The experimental Si/$Si_{0.8}Ge_{0.2}$/Si modulation doped samples for hall, velocity vs. field and SDH measurement were designed by using charge control model and grown by MBE. Hole mobility as high as 991 ㎠/V. s at 77K has been obtained at sheet density $1.57×10^{12}cm^{-2}$. From a detail analysis of the Shubnikov de Haas oscillation we determine an effective mass of 0.309 ± 0.012.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 95063
형태사항 63 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Sang-Hoon Jeon
지도교수의 한글표기 : 홍성철
지도교수의 영문표기 : Song-Cheol Hong
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 수록
주제 Quantum theory.
Holes (Electron deficiencies)
Electric charge and distribution.
FET. --과학기술용어시소러스
변조 도핑. --과학기술용어시소러스
정공 이동도. --과학기술용어시소러스
HEMT. --과학기술용어시소러스
양자 전기 역학. --과학기술용어시소러스
Modulation-doped field-effect transistors.
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