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백금 실리사이드 적외선 감지 소자의 성능 향상을 위한 이온 주입에 의한 쇼트키 전위 장벽의 낮춤에 관한 연구 = Schottky barrier lowering by ion implantation for high performance PtSi schottky barrier infrared detector
서명 / 저자 백금 실리사이드 적외선 감지 소자의 성능 향상을 위한 이온 주입에 의한 쇼트키 전위 장벽의 낮춤에 관한 연구 = Schottky barrier lowering by ion implantation for high performance PtSi schottky barrier infrared detector / 어익수.
저자명 어익수 ; Eo, Ik-Soo
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1987].
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4104704

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MEE 8797

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초록정보

Detectable wavelength range and the responsivity of PtSi Schottky diode IR detector is improved by schottky diode barrier lowering using ion implantation. The ion implantation energy is decided from the condition that the peak impurity concentration was placed at the interface of PtSi-Si. From I-V measurement, the barrier height is calculated. But ideality factor is larger than one indicating that the calculated barrier height is not always accurate. The calculated values of series resistance from the I-V measurement is $10^3\sim4\times10^4$Ω. The reason for large series resistance comes from the fact that the thickness of PtSi layer is too thin(10 nm). IR response current for 400℃ black body radiation increases with the implantation dose indicating that higher implantation dose gives lower barrier height which in turn gives higher responsivity.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8797
형태사항 ii, 46 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Ik-Soo Eo
지도교수의 한글표기 : 김충기
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 수록
주제 Diodes, Schottky-barrier.
Infra-red detectors.
Blackbody radiation.
쇼트기 장벽 다이오드. --과학기술용어시소러스
이온 주입. --과학기술용어시소러스
측체 복사. --과학기술용어시소러스
적외선 탐지기. --과학기술용어시소러스
Ion implantation.
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