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증착조건이 Si 증착속도 및 증착층의 표면형상에 미치는 영향에 대한 연구 = Effect of deposition conditionson the deposition rate and the crystal morphology of silicon deposit
서명 / 저자 증착조건이 Si 증착속도 및 증착층의 표면형상에 미치는 영향에 대한 연구 = Effect of deposition conditionson the deposition rate and the crystal morphology of silicon deposit / 조준형.
저자명 조준형 ; Cho, Joon-Hyoung
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1983].
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MMS 8324

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초록정보

Silicon has been deposited by a chemical vapor deposition technique using $SiCl_4$ and $H_2$ gas mixture onto Si single crystal substrate. In this work, the effects of deposition time, total flow rate, deposition temperature, Cl/H ratio, and total pressure on the deposition rate and the crystal morphology of Si deposit have been studied. From the experiment results, it is found that the deposition reaction of Si is controlled by mass transfer mechanism at temperatures above 1050℃ and by thermally activated surface reaction at temperatures below 1000℃. The apparent activation energy of the thermally activated surface reaction is about 45 Kcal/mole. The morphology of the Si deposit changes from a fine to a coarse structure as the deposition time and temperature increase and as the total pressure decreases. At a temperature of 1050℃, a polycrystalline Si deposit of (220) preferred orientation develops with increasing the deposition time and total pressure, and with decreasing the Cl/H ratio. At a total pressure of 100 torr, a single crystalline Si deposit is obtained.

서지기타정보

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청구기호 {MMS 8324
형태사항 [iv], 60 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Joon-Hyoung Cho
지도교수의 한글표기 : 천성순
지도교수의 영문표기 : Sung-Soon Chun
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 재료공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 58-60
주제 Chemical vapor deposition.
Morphology.
Silicon.
화학 증착. --과학기술용어시소러스
Surface reaction.
표면 반응.
열적 활성화 과정.
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