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Silicon wafer 의 불순물 및 함량 측정 = Identification of unknown impurity species and concentrations in some silicon wafers
서명 / 저자 Silicon wafer 의 불순물 및 함량 측정 = Identification of unknown impurity species and concentrations in some silicon wafers / 배윤.
저자명 배윤 ; Bae, Yoon
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1975].
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4100044

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초록정보

An attempt has been made to identify the unknown impurity species doped in silicon wafers by use of the Hall effect experiments. The measurements in the temperature range from 77˚K to 300˚K were analysed in the first approximation theory with proper correction terms provided by a careful comparative review of some earlier experimental works published by others. The results obtained are as follows: For P-type sample, the dopant is boron and its density about (7.0±0.1)×$10^{17}$ atoms/㎤. And for n-type sample, its impurity density is about (1.6±0.1)×$10^{18}$ atoms/㎤ but its impurity species not determined since it has been observed to behave as an impurity metal.

Silicon Wafer 에 대하여 Hall 효과를 실험하여 함유된 미지의 불순물성분을 식별해 내려는 시도를 하였다. 77˚K - 300˚K 의 온도 영역에서 측정한 자료를 일차적인 근사 이론과 이미 발표된 다른 유사한 실험적 사실들로 부터 구한 수정량을 적용하여 분석함으로써 다음과 같은 결과를 얻었다. P 형 시료에 대해서는 boron 이 약 (7.0±0.1)×$10^{17}$ atoms/㎤의 밀도로 doping 된 것으로 측정 되었고, N형 시료에 대해서는 불순물 밀도가 약 (1.6±0.1)×10^{18} atoms/㎤ 인것으로 측정되었으며 그 성분 결정은 이시료가 불순물 금속의 성질을 나타내는 것으로 관측 되었기 때문에 불가능하였다.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 7504
형태사항 [ii], 35 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Yoon Bae
지도교수의 한글표기 : 김종진
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 32-33
주제 Semiconductor wafers.
Contamination (Technology)
웨이퍼 (IC) --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
불순물 (잡물) --과학기술용어시소러스
Silicon.
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