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실리콘 나노결정 메모리의 전자 충방전 현상 이론 해석 = Theoretical analysis of electron charging and discharging phenomena in silicon nanocrystal memory
서명 / 저자 실리콘 나노결정 메모리의 전자 충방전 현상 이론 해석 = Theoretical analysis of electron charging and discharging phenomena in silicon nanocrystal memory / 이병석.
저자명 이병석 ; Lee, Byung-Suk
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2001].
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8012448

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MEE 01125

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초록정보

The electron charging and discharging in silicon nanocrystal floating gate memory have been calculated and analyzed in many different structures using the model considering the quantum effect. The self-limited electron charging process of a silicon nanocrystal memory has been simulated using the F. Rana's formalism. The steady state mean values of electrons in quantum dot have been calculated. The time evolution of mean values of electrons in quantum dot has also been evaluated. The simulation of retention time considering the deep level storage has resulted closer to the experimental result than the Rana's former simulation considering only the conduction band storage. Consequently, the introduction of the deep level storage mechanism is desirable for the long retention time of silicon nanocrystal memory. For low voltage operation of silicon nanocrystal memory, it is important to employ a thinner control gate oxide.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 01125
형태사항 56 p. : 삽도; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Byung-Suk Lee
지도교수의 한글표기 : 임굉수
지도교수의 영문표기 : Koeng-Su Lim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
서지주기 참고문헌 : p. 54-56
주제 나노결정
메모리
시뮬레이션
nanocrystal
memory
simulation
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