Metal interconnect in semiconductor is a passage for electric current and the copper is widely used due to the low bulk resistivity. However, it becomes necessary to find an alternative metal to replace copper because the resistivity of copper rapidly increases as the feature size of semiconductor continues to shrink, which is known as the resistivity size effect. In this research, the aim of the work is to find a metal that has low scaling than copper, and specify the location of cross-over point. For this purpose, the Mayadas-Shatzkes model is used to quantify the resistivity size effect. As a result, it was computationally confirmed that the resistivity of rhodium is less than that of copper for sub-6.5nm regime.
반도체 내 금속 배선은 전류가 흐르는 통로이며 낮은 비저항을 가지는 구리가 널리 이용되고 있다. 하지만 반도체의 크기가 지속적으로 줄어듦에 따라 구리 배선의 비저항이 급격히 증가하는 비저항 크기 효과로 인해 구리 배선을 대체할 새로운 물질 탐색이 필요해졌다. 본 연구에서는 구리에 비해 비저항 크기 효과가 작은 새로운 금속 물질을 찾고, 구체적으로 비저항 역전 현상이 일어나는 지점을 계산하고자 한다. 이 과정에서 Mayadas-Shatzkes 모델을 도입하여 비저항 크기 효과를 정량화하였고, 결과적으로 6.5nm 이하 영역에서는 로듐이 구리에 비해 비저항이 낮음을 계산을 통해 확인하였다.
