Due to exceptional color purity and other promising attributes (defect tolerance, bipolar charge transport, low-cost material and photon recycling), metal halide perovskite has been attracting interest as the next-generation materials for light-emitting diodes. In this thesis, we present strategies to enhance luminescence efficiency through constructing type I band alignment with low-dimensional perovskite or passivation layer such as polymer and alkali metal halide. Also, we have modulated growth kinetics unique to thermal evaporation to form fine-grain structured inorganic perovskite CsPbBr$_3$ film and the results that highlight the potential of vacuum-processed CsPbBr$_3$ films for high efficiency light-emitting diodes.
탁월한 색 순도 및 기타 유망한 특성(결함 허용성, 양극성 전하 수송, 저비용 재료 및 광자 재활용)으로 인해 페로브스카이트는 차세대 발광다이오드 재료로 관심을 끌고 있음. 본 논문에서는 저차원 페로브스카이트 또는 고분자 및 알칼리 금속 할로겐화물과의 타입 1 밴드 정렬 형성을 통해 발광 효율을 향상시키는 전략을 제시함. 또한 우리는 미세 결정 입자 구조의 무기 페로브스카이트 박막을 형성하기 위해 동시 열 증착 방법을 통해 성장 동역학을 조절했으며 고효율 페로브스카이트 발광다이오드를 위한 진공공정의 잠재력을 강조하는 결과를 얻었음.
