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CVD Cu 박막의 특성에 열처리 온도가 미치는 영향 = The effects of the annealed temperature on properties of CVD Cu films
서명 / 저자 CVD Cu 박막의 특성에 열처리 온도가 미치는 영향 = The effects of the annealed temperature on properties of CVD Cu films / 민재식.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1995].
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MEM 95004

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초록정보

To apply the Cu metalization process to the actual semiconductor device fabrication, an systematic study on the Cu CVD process and characterization of the CVD-Cu film is in need. In addition, the sub-technologies such as the barrier layer fabrication and the patterning must also be established. Although there have been some reports about the role of diffusion barriers that prevent interdiffusion between the Cu films and silicon substrates at high temperature, little investigation about the properties of the CVD Cu film itself at high temperature have been made. The objectives of this work can be summarized into two categories ; One is to compare the properties of annealed Cu thin films with those of as-deposited films, and the other is to investigate the effect of microstructure on the electrical resistivities of annealed Cu films.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEM 95004
형태사항 iii, 63 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jae-Sik Min
지도교수의 한글표기 : 천성순
지도교수의 영문표기 : Soung-Soon Chun
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전자재료공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 61-63
주제 Thin films.
Metals --Heat treatment.
Electric resistance.
Microstructure.
화학 증착. --과학기술용어시소러스
금속 박막. --과학기술용어시소러스
열 처리. --과학기술용어시소러스
전기 특성. --과학기술용어시소러스
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