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(100) 성장 방향과 (111) 성장 방향 기판위에 길러진 양자 우물 레이저 특성의 이론적 비교 = Theoretical comparison of quantum well lasers grown on (100) and (111) substrate
서명 / 저자 (100) 성장 방향과 (111) 성장 방향 기판위에 길러진 양자 우물 레이저 특성의 이론적 비교 = Theoretical comparison of quantum well lasers grown on (100) and (111) substrate / 손희수.
저자명 손희수 ; Son, Hee-Soo
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1995].
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8005537

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MEE 95037

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초록정보

The optical gain is thoroughly introduced and the elements of optical gain calculated in AlGaAs-GaAs single quantum well. The derivations of every elements were shown and in the case of some parameters, the proofs are existed. The program was used on Fortran 77 and IMSL routine itself serving. The main program and the sub programs algorithms were introduced. The data of (100) growth substrate quantum well laser and of (111) growth substrate quantum well laser were shown to many figures. And with these data figures, it turned out that (111) growth substrate quantum well laser gain is higher than (100) growth substrate quantum well laser gain. Another results were explained. The linewidth enhancement factor α was studied. The data of (100) growth substrate and (111) growth substrate were fully compared with the gain advantage.

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청구기호 {MEE 95037
형태사항 iv, 86 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Hee-Soo Son
지도교수의 한글표기 : 홍성철
지도교수의 영문표기 : Song-Cheol Hong
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 84-86
주제 Semiconductor lasers.
Crystal growth.
양자 우물 레이저. --과학기술용어시소러스
결정 성장. --과학기술용어시소러스
Quantum wells.
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