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$GaAs/Al_{0.2}Ga_{0.8}As$ single quantum well 구조에서의 Whispering gallery mode에 대한 연구 = Characteristics of whispering gallery mode in $GaAs/Al_{0.2}Ga_{0.8}As$ single quatum well structure
서명 / 저자 $GaAs/Al_{0.2}Ga_{0.8}As$ single quantum well 구조에서의 Whispering gallery mode에 대한 연구 = Characteristics of whispering gallery mode in $GaAs/Al_{0.2}Ga_{0.8}As$ single quatum well structure / 한일영.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1995].
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8005119

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MPH 95032

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초록정보

Microcylinder laser structures with diameters ranging from 20 ㎛ to 50 ㎛ based on the high relfectivity whispering gallery modes around the edge of a semiconductor microcylinder is described and a few experimental results are presented. AuZn thermal evaporation, photolithography, and chemically-assisted ion beam etching(CAIBE) are used to achieve the microcylinder laser structure with a GaAs/$Al_{0.2}Ga_{0.8}As$ single quantum well. Whispering gallery modes are demonstrated in the microcylinder laser structure with each diameter using current injection of a few tens milliamp. And a broad peak around 850 nm is observed in spectra at the low current level, which is attributed to conduction-band-to-heavy-hole-band transition. No lasing in the microcylinder laser structure may be due to larger loss by means of the rough sidewall of the microcyliders than gain.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 95032
형태사항 [ii], 48 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Il-Young Han
지도교수의 한글표기 : 이용희
지도교수의 영문표기 : Yong-Hee Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 46-48
주제 Aluminum.
Quantum wells.
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
비소화갈륨륨알루미늄. --과학기술용어시소러스
양자 우물. --과학기술용어시소러스
Gallium arsenide semiconductors.
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