As highly advanced technologies such as artificial intelligence, autonomous driving and Internet of Things (IoT), etc., emerge in the advent of the 21st century, people have benefited from the convenience that these technologies bring to their lives. However, as dependence on technologies grow, reliability of these technologies have become an important issue. Autonomous driving, for instance, revolutionizes the driving experience, but an error in the autonomous driving system can potentially result in human casualties. Modern technologies are, to most part, based on trillions of data that are collected from the activities of people or the surrounding environments that the technologies are being used. Computer collects and stores data, analyzes, and makes an appropriate judgement, and passes down certain orders to change or control the system. Hence, an error in data can have a cascading effect, causing malfunction in electronic devices, and ultimately, a catastropic failure. For this reason, safe and reliable storage of data is very important as computer systems operate based on the data.
Traditionally, semiconductor based memories such as DRAM and Flash memories, and resistive-type memories like PC-RAM and M-RAM have been developed and widely used for the storage of data. Nevertheless, these memories are well known to be susceptible to various environmental factors due to their intrinsic limitations. Among various factors affecting the data storage such as radiation, mechanical vibration, and high temperature, high temperature is the most relevant issue causing deterioration in memory retention characteristics. In this research, a mechanical type memory device based on nano/micro electro-mechanical systems (N/MEMS) that are highly resilient to high temperature is proposed as a possible solution to replace traditional memory devices.
21세기 인공지능, 자율주행, 사물인터넷(IoT) 등 첨단 기술이 등장하면서 생활 편의성을 누리게 되었습니다. 그러나 기술에 대한 의존도가 높아짐에 따라 이러한 기술의 신뢰성이 중요한 문제가 되었습니다. 예를 들어, 자율 운전은 운전 경험을 혁신하지만, 자율 운전 시스템의 오류는 잠재적으로 인명 피해를 초래할 수 있습니다. 현대 기술은 대부분 사람들의 활동이나 기술이 사용되는 주변 환경에서 수집된 수조 개의 데이터를 기반으로 합니다. 컴퓨터는 데이터를 수집, 저장, 분석, 적절한 판단, 시스템 변경 또는 제어를 위한 특정 명령 등을 전달합니다. 따라서 데이터의 오류는 계단식 효과를 가져 전자 장치의 오작동, 궁극적으로는 캐스타로피 장애를 일으킬 수 있습니다. 이러한 이유로, 컴퓨터 시스템이 데이터를 기반으로 작동하기 때문에 안전하고 신뢰할 수 있는 데이터 저장은 매우 중요합니다.
기존에는 DRAM, 플래시 메모리 등 반도체 기반 메모리와 PC-RAM, M-RAM 등 저항성 메모리가 개발되어 데이터 저장용으로 널리 사용되고 있습니다. 그럼에도 불구하고 이러한 기억은 고유의 한계로 인해 다양한 환경적 요인에 취약한 것으로 잘 알려져 있습니다. 방사선, 기계적 진동, 고온 등 데이터 저장에 영향을 미치는 다양한 요인 중 메모리 보존 특성 악화를 야기하는 가장 큰 문제는 고온입니다. 본 연구에서는 고온에 대한 복원력이 뛰어난 나노/마이크로 전기 기계시스템(N/MEMS) 기반의 기계식 메모리 소자를 기존 메모리 소자를 대체할
