With the development of the electronic devices, importance of the planarization process is increasing for improving device performance and process efficiency. Existing research focuses on inorganic materials and solvent-based processes, so it is necessary to develop an organic planarization layer suitable for application to flexible devices and multi-layer structures. In this thesis, organic planarization process via initiated chemical vapor deposition (iCVD) is developed. A copolymer called pGAD, a polymer containing a cross-lining site that allows improving the thermal and mechanical stability of the materials by the post-annealing process, was suggested as a material for the planarization layer. Developed planarization layer shows both good gap filling property and surface smoothness after deposition.
전자 소자의 소형화, 유연 소자의 개발 등 전자소자의 발전에 따라, 소자 제작 공정의 효율과 소자의 성능에 영향을 미치는 평탄화 공정의 중요성이 커지고 있다. 기존에 연구된 평탄화 공정 대부분은 무기물질을 이용하거나 용매 기반 공정으로, 유연 소자 및 다층 구조의 소자에 적용이 용이한 유기 평탄화 공정의 필요성이 대두되고 있다. 이에 본 학위논문에서는 기상 증착 공정인 개시제를 이용한 화학 기상 증착 (iCVD) 공정을 기반으로 한 유기 평탄화 공정을 개발하였다. 평탄화층의 열적, 물리적 안정성을 높이기 위하여 열경화 공정을 통해 추가적인 가교가 가능한 고분자 공중합체인 pGAD가 유기 평탄화층 물질로 사용되었다. 이를 통해 우수한 갭 필링 효과를 가지며, 증착 후 표면 거칠기 역시 1 nm 수준으로 낮은 평탄화층을 개발하였다.
