Research for the high-end and transparent flexible oxide thin-film transistors (TFTs) have been actively conducted to drive high performance next generation displays capable of delivering higher quality image information in various environments. In this study, highly stable high mobility oxide TFTs were secured by removing defects in the oxide semiconductor by incorporating hydrogen (H) with proper amounts through the oxygen source plasma treatment and the H barriers. In addition, by using an environment-assisted de-bonding phenomenon, we propose the method of realizing flexible and transparent oxide TFTs by applying the molybdenum oxide as the exfoliation layer and delaminate the devices from the rigid substrate with physical force. Since the plastic materials are used after fabrication of the devices, the high-temperature process was possible, and it showed excellent electrical properties even after the devices transferred to the plastic substrate. In addition, the devices demonstrated in this study exhibited good durability in the several bending environments.
보다 고품질의 이미지 정보를 다양한 위치 및 환경에서 전달할 수 있는 고성능 차세대 디스플레이를 구동하기 위해 고성능 그리고 투명 유연한 산화물 박막 트랜지스터에 대한 연구가 활발하게 진행되어 왔다. 본 연구에서는 산소 제공 플라즈마 처리와 수소 차단막을 통하여 수소의 유입을 적절하게 조절하여 산화물 박막 트랜지스터의 결함 제거를 통해 고이동도와 고안정성 특성을 동시에 확보하여 고성능 소자 구현에 대한 연구를 진행하였다. 또한, 환경 의존 균열 진행 현상을 이용하여, 삼산화몰리브데늄 박막을 박리층으로 적용, 소자를 단단한 기판으로부터 물리적인 힘으로 박리하여 유연한 기판에 전사하는 방법을 통해, 고성능의 유연 투명 소자 구현 방법을 제안하였다. 플라스틱 물질을 소자 제작 이후에 사용하기 때문에, 소자의 고온 공정이 가능하였고, 소자가 유연 기판에 전사된 후에도 우수한 전기적 특성을 보였다. 또한 본 연구에서 구현한 소자는 굽힘 환경에서 우수한 내구성 결과를 보였다.
