$HfZrO_2$ appears to be a promising alternative to $ZrO_2$/$Al_2O_3$/$ZrO_2$, the dielectric layers of DRAM cell capacitors that are currently reaching their limits. However, the reported $HfZrO_2$ capacitors are not suitable for current DRAM cell capacitors. Therefore, In this thesis, $HfZrO_2$ capacitors were fabricated with whole ALD process to evaluate their performance. In addition, for the next generation of DRAM cell capacitors, $HfZrO_2$ capacitors using WN electrodes that can replace current TiN electrodes are implemented to suggest directions for DRAM cell capacitors.
현재 한계를 맞이한 DRAM 셀 커패시터의 유전층인 $ZrO_2$/$Al_2O_3$/$ZrO_2$를 대체할 물질로 $HfZrO_2$가 유력해 보인다. 하지만, 현재까지 보고된 $HfZrO_2$ 커패시터는 그 공정 방식이 현재 DRAM 셀 커패시터에는 적합하지 않다. 이에 본 학위논문에서는 전 공정이 ALD로 구성된 $HfZrO_2$ 커패시터를 제작하여 그 성능을 평가했다. 추가로, 차세대 DRAM 셀 커패시터를 위해, 현재 사용하고 있는 TiN 전극을 대체할 수 있는 WN 전극을 도입한 $HfZrO_2$ 커패시터를 구현하여 DRAM 셀 커패시터가 나아갈 방향성을 제시하고자 한다.
