차세대 디램 스토리지 노드를 위한 원자층 증착 공법 산화 하프늄지르코늄 커패시터 = Next-generation DRAM storage node with atomic layer deposition $Hf_xZr$yO_2$ capacitor

• 서명 / 저자: 차세대 디램 스토리지 노드를 위한 원자층 증착 공법 산화 하프늄지르코늄 커패시터 = Next-generation DRAM storage node with atomic layer deposition $Hf_xZr$yO_2$ capacitor / 이승환.
• 발행사항: [대전 : 한국과학기술원, 2020].

$HfZrO_2$ appears to be a promising alternative to $ZrO_2$/$Al_2O_3$/$ZrO_2$, the dielectric layers of DRAM cell capacitors that are currently reaching their limits. However, the reported $HfZrO_2$ capacitors are not suitable for current DRAM cell capacitors. Therefore, In this thesis, $HfZrO_2$ capacitors were fabricated with whole ALD process to evaluate their performance. In addition, for the next generation of DRAM cell capacitors, $HfZrO_2$ capacitors using WN electrodes that can replace current TiN electrodes are implemented to suggest directions for DRAM cell capacitors.

현재 한계를 맞이한 DRAM 셀 커패시터의 유전층인 $ZrO_2$/$Al_2O_3$/$ZrO_2$를 대체할 물질로 $HfZrO_2$가 유력해 보인다. 하지만, 현재까지 보고된 $HfZrO_2$ 커패시터는 그 공정 방식이 현재 DRAM 셀 커패시터에는 적합하지 않다. 이에 본 학위논문에서는 전 공정이 ALD로 구성된 $HfZrO_2$ 커패시터를 제작하여 그 성능을 평가했다. 추가로, 차세대 DRAM 셀 커패시터를 위해, 현재 사용하고 있는 TiN 전극을 대체할 수 있는 WN 전극을 도입한 $HfZrO_2$ 커패시터를 구현하여 DRAM 셀 커패시터가 나아갈 방향성을 제시하고자 한다.

• 형태사항: ix, 34 p. : 삽화 ; 30 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 저자명의 영문표기 : Seung-Hwan Lee ; 지도교수의 한글표기 : 조병진 ; 지도교수의 영문표기 : Byung-Jin Cho
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 31-33