In this research, we investigate the problems that can occur in the channel size of oxide semiconductors, which are reduced by fabrication high resolution and large size displays. In particual, the post annealing is nessesary in the the oxide semiconductor TFT fabrication process. The purpose is to create a map that predicts the degreee of channel shortening length. Three types of aluminum-doped tin oxide (Al: ITZO) and two kinds of metal source/drain materials were used to manufacturing back channel etching (BCE) structure TFTs. The activation energy and the prefactor of diffusion were obtained by using the post-annealing treatment of each device. The XPS analysis of the structure before and after the post-annealing showed the change in amount of oxygen vacancies.
본 연구는 고해상도 대면적 디스플레이를 제작함에 따라 줄어드는 산화물 반도체의 채널 길이에 대한 것으로서, 산화물 반도체가 안정성을 가지기 위해 필수적인 후-열처리 과정에서 일어나는 유효 채널 길이의 감소를 미리 예상하고 소자를 디자인하는 것을 돕기 위해 진행되었다. 세가지 조성의 알루미늄 첨가 인듐-틴-징크-옥사이드와 두 종류의 금속 소스/드레인 물질을 사용하여 제작한 백 채널 에치 구조의 박막 트랜지스터를 이용하였다. 각 소자의 후-열처리 후 채널 길이 변화값을 이용하여 확산의 활성화 에너지와 프리펙터를 구할 수 있었으며 이를 선행연구와 비교하여 산소의 이동과 관계 가능성에 주목하였다. 후-열처리 전후의 산소 원자 결합 에너지 분석을 통해 산소 결핍의 양 변화를 관찰 할 수 있었다.
