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(A) study on channel shortening effect of BCE structured oxide thin film transistor depending on the active and source/drain materials = 엑티브 및 소스/드레인 재료에 따른 백 채널 에치 구조 산화물 박막 트랜지스터의 채널 쇼트닝 효과에 대한 연구
서명 / 저자 (A) study on channel shortening effect of BCE structured oxide thin film transistor depending on the active and source/drain materials = 엑티브 및 소스/드레인 재료에 따른 백 채널 에치 구조 산화물 박막 트랜지스터의 채널 쇼트닝 효과에 대한 연구 / Seong-Jae Kim.
저자명 Kim, Seong-Jae ; 김성재
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2019].
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초록정보

In this research, we investigate the problems that can occur in the channel size of oxide semiconductors, which are reduced by fabrication high resolution and large size displays. In particual, the post annealing is nessesary in the the oxide semiconductor TFT fabrication process. The purpose is to create a map that predicts the degreee of channel shortening length. Three types of aluminum-doped tin oxide (Al: ITZO) and two kinds of metal source/drain materials were used to manufacturing back channel etching (BCE) structure TFTs. The activation energy and the prefactor of diffusion were obtained by using the post-annealing treatment of each device. The XPS analysis of the structure before and after the post-annealing showed the change in amount of oxygen vacancies.

본 연구는 고해상도 대면적 디스플레이를 제작함에 따라 줄어드는 산화물 반도체의 채널 길이에 대한 것으로서, 산화물 반도체가 안정성을 가지기 위해 필수적인 후-열처리 과정에서 일어나는 유효 채널 길이의 감소를 미리 예상하고 소자를 디자인하는 것을 돕기 위해 진행되었다. 세가지 조성의 알루미늄 첨가 인듐-틴-징크-옥사이드와 두 종류의 금속 소스/드레인 물질을 사용하여 제작한 백 채널 에치 구조의 박막 트랜지스터를 이용하였다. 각 소자의 후-열처리 후 채널 길이 변화값을 이용하여 확산의 활성화 에너지와 프리펙터를 구할 수 있었으며 이를 선행연구와 비교하여 산소의 이동과 관계 가능성에 주목하였다. 후-열처리 전후의 산소 원자 결합 에너지 분석을 통해 산소 결핍의 양 변화를 관찰 할 수 있었다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MMS 19011
형태사항 iv, 37 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 김성재
지도교수의 영문표기 : Sang-Hee Park
지도교수의 한글표기 : 박상희
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과,
서지주기 Including references
주제 Oxide semiconductor
postannealing
In-Sn-Zn-O
channel Shortening Phenomenon
diffusion
산화물 반도체
후-열처리
인듐-틴-징크-옥사이드
채널 쇼트닝 현상
확산
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