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소장자료

상세 정보
서명 / 저자 Transistor leakage considering source/drain extension region = 소스/드레인 영역이 고려된 트랜지스터 누설전류 연구 / Jae Hur.
저자명 Hur, Jae ; 허재
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2019].
online access
Online Access 비공개 원문
서가 정보
등록번호 소장위치/청구기호 도서상태 반납예정일
8033368 학술문화관(도서관)2층 패컬티라운지(학위논문)
DEE 19049  

SMS전송 소장위치

이용가능
대출가능확인

초록

상세 정보
형태사항 ix, 82 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 허재
지도교수의 영문표기 : Yang-Kyu Choi
지도교수의 한글표기 : 최양규
학위논문 학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부,
서지주기 Including references
주제 charge-plasma (C-P) MOSFET
gate-all-around (GAA)
gate-induced drain leakage (GIDL)
inversion-mode (IM) FET
junctionless-mode (JM) FET
longitudinal band-to-band tunneling (L-BTBT)
numerical simulation
Schottky tunneling
source/drain (S/D) extension region
tunnel FET (TFET)
누설전류
소스/드레인 영역
샤키 터널링
밴드투밴드터널링
기들 전류
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