서지주요정보
High frequency GaN HEMT modeling based on datasheet and measurement, and application to analysis of EMI from inverter = 질화갈륨 고 전자이동도 트랜지스터의 고주파 모델링과 이를 이용한 대전력 인버터에서의 전자파 잡음 현상에 대한 분석
서명 / 저자 High frequency GaN HEMT modeling based on datasheet and measurement, and application to analysis of EMI from inverter = 질화갈륨 고 전자이동도 트랜지스터의 고주파 모델링과 이를 이용한 대전력 인버터에서의 전자파 잡음 현상에 대한 분석 / Kae-Young Park.
저자명 Park, Kae-Young ; 박계영
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2018].
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8032063

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MEE 18044

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초록정보

Recently, the switching frequency of power devices in the power conversion system is gradually increasing for the purposes of weight reduction and miniaturization. In order to achieve these purposes, two different materials are mixed, or bonded each other. The Gallium-Nitride (GaN) High Electron-mobility Transistor (HEMT) utilizes the unique properties that occur in the interfaces formed by bonding two materials. However, the turn-on and turn-off times gradually decrease with the increasing trend of the switching frequency, thereby Electro-magnetic Interference (EMI) issues become increasingly problematic. Therefore, in order to analyze the EMI issues more accurately, this paper presents a circuit model for GaN HEMT, and applies it to an 80W class full-bridge inverter system to analyze the EMI problem. Finally, the proposed GaN HEMT model is verified by comparative analysis for the output result. In addition, i propose the method to analysis of EMI from the power conversion system through the equivalent circuit based on the proposed GaN HEMT model in this paper, instead of the method to analysis of EMI using the conventional Fourier transform or Laplace transform method.

오늘날의 전력 변환 시스템은 경량화 및 소형화의 목적을 위하여 전력 소자의 스위칭 주파수가 점차 증가되는 추세이다. 하지만, 점차 증가하는 스위칭 주파수의 경향에 따라 턴-온 및 턴-오프의 시간이 점차 줄어들게 되어 전자파 장해(EMI) 문제가 점차 증대되고 있는 실정이다. 이에 따라, 정확한 EMI 문제를 분석하기 위하여 본 논문에서는 차세대 반도체 소자인 GaN HEMT에 대한 회로 모델을 제시하며, 이를 실제 EMI 문제를 해석하기 위해 80W급 풀-브리지 인버터 시스템에 적용하여 측정 및 시뮬레이션 결과를 비교분석함으로써 모델에 대한 검증 또한 이루었다. 또한, 기존의 푸리에 변환 방식을 이용하여 전력 변환 시스템에 대한 EMI 분석 기법이 아닌, 본 논문에서 제안한 GaN HEMT 모델을 기반으로 한 등가회로 모델을 통하여 EMI 분석을 하는 방법에 대하여 설명한다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 18044
형태사항 iv, 39 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 박계영
지도교수의 영문표기 : Joungho Kim
지도교수의 한글표기 : 김정호
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부,
서지주기 Including reference.
주제 curve fitting
depletion state
electro-magentic interference(EMI)
full-bridge inverter
fourier transform
gallium-nitride high electron-mobility transistor(GaN HEMT)
parasitic component
tail-current
wireless power transfer(WPT)
곡선 맞춤
공핍 상태
기생 성분
꼬리 전류
무선 충전
전자파 장해
질화갈륨 고 전자 이동도 트랜지스터
푸리에 변환
풀-브리지 인버터
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