Recently, due to developments in data processing and the Internet environment, there has been exponential growth in the amount of information around the world. Thus, various memory devices have been developed to store the information. Because conventional memories have technological and physical limitations, many new memories have been developed to overcome the limitations. As alternatives, there have been memories that utilize storing states other than the amount of charge, such as PRAM (phase change random access memory), FeRAM (ferroelectric memory), STT-MRAM (spin transfer torque magnetic memory), and Re-RAM (resistive random access memory). Especially, due to its simple structure composed of two metal elec-trodes and one insulator, ReRAM has the advantages of low power consumption and small cell area. The operation speed is very fast, and the device can appear transparent when made with TMO (transition metal oxide), which can be easily fabricated and has a large optical bandgap. Furthermore, flexible and transparent ReRAM can be fabricated using flexible transparent electrodes such as ITO, graphene, and dielectric-metal-dielectric (DMD) electrode. In this work, we suggest a transparent and flexible resistive random access memory using a multi-thin-layer electrode to obtain flexibility, transparency and high conductivity. The transparent and flexible ReRAM includes a multi-thin-layer electrode that is transparent and flexible and an $Al_2 O_3$ layer as a transparent oxide material. When the multi-thin-layer electrode is used for the top and bot-tom electrode for the ReRAM, the ReRAM has transparent and flexible properties. The stable memory oper-ation uses a Ti layer and a Pt layer between the Al2O3 layer and multi-thin-layer electrodes. The transmit-tance of the ReRAM is over 70% at a visible wavelength on a PET substrate. We believe this transparent and flexible ReRAM will be useful for transparent and flexible electronic devices in the future.
미래형 전자소자들은 다양한 형태로 존재할 수 있을 것이고 플렉시블하고 투명한 전자소자의 형태는 현재 우리가 예상 가능한 한가지 미래이다. 이를 위해서는 차세대 전자소자에 사용될 플렉시블 투명 메모리 역시 개발이 필수적이며 이러한 요건에 부합할 수 있는 메모리 형태는 저항변화 메모리가 있다. 저항 변화 메모리는 그 구조가 단순하다는 점에서 집적도가 높고 다양한 형태로의 개발이 가능하다는 특징을 지닌다. 내부의 저장 층으로 Al2O3의 투명 산화물 박막을 이용하여 메모리 동작을 하고 ZnS와 Ag 다중 박막의 적층을 통한 플렉시블 투명 전극을 가질 수 있다. 시뮬레이션을 통해 최적화된 구조를 통해서 얻게 되는 플렉시블 투명 저항 변화 메모리가 안정적인 동작이 되도록 하기 위해서 $Al_2 O_3$ 층의 주변에서 산소의 분포를 최적화 시켜주어 안정적인 동작을 도와주는 Ti 와 Pt 층을 삽입한다. 제작된 소자의 광학적, 전기적 특성을 평가하고 전체 소자의 구조와 각 층의 분포를 확인하였다. 또한 다양한 형태와 조건으로 측정하여 소자의 필라멘트 모델로 동작하는 메커니즘을 분석하였다.
