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$Ga_{0.51}In_{0.49}P/GaAs$ heterojunction phototransistor의 특성 연구 = Characteristics of $Ga_{0.51}In_{0.49}P/GaAs$ heterojunction phototransistor
서명 / 저자 $Ga_{0.51}In_{0.49}P/GaAs$ heterojunction phototransistor의 특성 연구 = Characteristics of $Ga_{0.51}In_{0.49}P/GaAs$ heterojunction phototransistor / 하경호.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1994].
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8004371

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MPH 94027

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초록정보

Two different $Ga_{0.51}In_{0.49}P/GaAs$ Heterojunction Phototransistors (HPT) are grown by MOCVD. Both HPTs exhibit optical gain of 6 with input optical power of 500 $\mu$W. The dc gain of the HPT is an increasing function of incident optical power at low incident optical power levels. This result indicates that surface recombination effect is dominant at low incident power levels. The gain-bandwidth product of the sample STR-B is measured to be 3.8 GHz with input optical power of 340 $\mu$W, and that of the sample STR-C is 1.7 GHz with input optical power of 500 $\mu$W. This difference in the gain-bandwidth products is due to the different junction capacitances of the STR-B and STR-C. From the C-V curves, the emitter and collector charging time $\tau_e$ is obtained. Calculated cut-off frequencies are compared with the experimental data.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 94027
형태사항 ii, 70 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Kyoung-Ho Ha
지도교수의 한글표기 : 이용희
지도교수의 영문표기 : Yong-Hee Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 69-70
주제 Indium phosphide.
Junction transistors.
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
인화인듐. --과학기술용어시소러스
광 트랜지스터. --과학기술용어시소러스
Gallium arsenide semiconductors.
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