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다결정질 규소 박막 트랜지스터에서 바이어스에 의해 나타나는 열화에 대한 연구 = Bias-induced degradation of poly-silicon thin film transistor
서명 / 저자 다결정질 규소 박막 트랜지스터에서 바이어스에 의해 나타나는 열화에 대한 연구 = Bias-induced degradation of poly-silicon thin film transistor / 최용석.
저자명 최용석 ; Choi, Yong-Seok
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1994].
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MPH 94026

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초록정보

Bias-induced Degradation of Poly-Si TFT was studied for NMOS and PMOS. Channel width and channel length were 30$\mu$m and 5$\mu$m. Bias stress conditions(Vg/Vd) of 30v/10v, 30v/20v, 10v/30v, 20v/30v were used for NMOS and negative values of those were used for PMOS. It is confirmed that charge trapping is negligible in poly-Si TFT with insulating layers of oxide. In NMOS, bias-induced increases of threshold voltage and trap density were observed, which means the creation of defects below $E_F$ in the channel. And for the bias stress conditions of $Vd>Vg$, some additional defects were formed in the drain region above $E_F$ by avalanche. In PMOS, for the bias conditions(Vg/Vd) of -30v/-20v, -30/-10v, magnitudes of threshold voltage and trap density increased, which means that defects are created above $E_F$. And for the bias conditions(Vg/Vd) of -10v/-30v, -20v/-30v, many defects were formed in the drain region below $E_F$ also by avalanche, which decreased leakage current and kink current.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 94026
형태사항 39 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Yong-Seok Choi
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 38-39
주제 Thin film transistors.
Metal oxide semiconductor field-effect transistors.
규소. --과학기술용어시소러스
박막 트랜지스터. --과학기술용어시소러스
다결정. --과학기술용어시소러스
열화 (현상) --과학기술용어시소러스
Silicon.
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