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GaAs에 Si이 첨가 되었을때의 광 반사율 측정 = Photoreflectance studies of Si-doped GaAs
서명 / 저자 GaAs에 Si이 첨가 되었을때의 광 반사율 측정 = Photoreflectance studies of Si-doped GaAs / 이철.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1994].
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MPH 94021

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초록정보

Reflectance modulation produced by an intense secondary light beam (photoreflectance) has been studied for wavelength near the fundamental edge in silicon doped epitaxial layers of GaAs as a function of doping, and intensity of the modulating light beam. As the doping concentration increases, the built-in electric field at the surface increases. For all but the heavily doped sample, the line shapes are independent of the modulating light beam, being consistent with the model that the secondary light beam is only slightly modifying the surface electric field. However, in the heavily doped sample, the band gap becomes slightly larger and the broadening parameter increases as much as twice those of lesser doped samples. This may attribute to the band filling effect.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 94021
형태사항 58 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : low field fitting 프로그램
저자명의 영문표기 : Chul Lee
지도교수의 한글표기 : 김재은
지도교수의 영문표기 : Jae-Eun Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 52-53
주제 Silicon.
Reflectance.
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
광 반사. --과학기술용어시소러스
Gallium arsenide semiconductors.
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