서지주요정보
2차원 전자 가스가 존재하는 소자의 전하 제어에 관한 수치해석적 연구 = Numerical study on charge control in two dimensional electron gas devices
서명 / 저자 2차원 전자 가스가 존재하는 소자의 전하 제어에 관한 수치해석적 연구 = Numerical study on charge control in two dimensional electron gas devices / 전계익.
저자명 전계익 ; Jeon, Kye-Ik
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1993].
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8003967

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MEE 93073

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초록정보

A quantum mechanical and numerical charge control scheme, which includes strain effect and inplane dispersion of subband edges by k-p theory, was developed to simulate HEMT structure and other two dimensional electron gas device structures. Self-consistent calculation of energy levels, carrier density profile, and conduction band edge profile was performed. Schrodinger's equation and Poisson's equation were reduced into matrix equations and were solved iteratively by using standard routines. The calculation is carried out for InAsP/InP strained HEMT structure. The results were found to have a good agreement with published experimental data in qualitative manner. And the scheme was applied to $n^{+\delta}$ doped channel with buried $p^{+\delta$ MESFET, dipole barrier delta doped channel MESFET and conventional delta doped MESFET. The implications of these calculations on device performance was pointed out.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 93073
형태사항 [ii], 54 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Kye-Ik Jeon
지도교수의 한글표기 : 홍성철
지도교수의 영문표기 : Seong-Cheol Hong
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 수록
주제 Electron gas.
Modulation-doped field-effect transistors.
Metal semiconductor field-effect transistors.
Electric charge and distribution.
Numerical analysis.
전자 가스. --과학기술용어시소러스
HEMT. --과학기술용어시소러스
MESFET. --과학기술용어시소러스
전하 이동 반응. --과학기술용어시소러스
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