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D FLIP-FLOP을 위한 GaAs unbuffered FET logic 연구 = A study on GaAs unbuffered FET logic for D FLIP-FLOP
서명 / 저자 D FLIP-FLOP을 위한 GaAs unbuffered FET logic 연구 = A study on GaAs unbuffered FET logic for D FLIP-FLOP / 이용희.
저자명 이용희 ; Lee, Yong-Hee
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1991].
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8002122

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MEE 9154

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초록정보

An GaAs unbuffered FET logic(FL) is designed, fabricated, and measured. It consists of three Depletion-mode GaAs MESFET's and three Schottky diodes. The gate Mask dimension of the fabricated MESFET's is 2.5μm long and 30μm wide. The FL is used for the implementation of D flip-flop circuit in this work. The output voltage swing of the FL is about 4V and the voltage gain is 6 or so from the measurement of the static transfer curve characteristics. It is confirmed by the experiments and measurements that the designed and fabricated FL is a good candidate of unit circuitry to make well-performed GaAs logic devices.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 9154
형태사항 [ii], 51 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Yong-Hee Lee
지도교수의 한글표기 : 권영세
지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 50-51
주제 Gallium arsenide semiconductors.
Metal semiconductor field-effect transistors.
Diodes, Shottky-barrier.
MESFET. --과학기술용어시소러스
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
논리 소자. --과학기술용어시소러스
쇼트기 장벽 다이오드. --과학기술용어시소러스
Logic devices.
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