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공통 콜렉터와 다결정 에미터 구조를 갖는 바이폴라 트랜지스터를 이용한 간단한 BiNMOS 제작 공정 = A simple BiNMOS fabrication process using common collector and polysilicon emitter bipolar transistor
서명 / 저자 공통 콜렉터와 다결정 에미터 구조를 갖는 바이폴라 트랜지스터를 이용한 간단한 BiNMOS 제작 공정 = A simple BiNMOS fabrication process using common collector and polysilicon emitter bipolar transistor / 이석준.
저자명 이석준 ; Lee, Seog-Jun
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1991].
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8002121

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MEE 9153

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초록정보

A simple fabrication process called KBiNMOS with polysilicon emitter structure is developed for common collector BiNMOS digital circuit. This structure has good switching characteristics at scaled supply voltage. The simple process allows us to give higher yield, higher packing density, smaller device number, smaller device size and higher performance than conventional BiCOMS technology. Unit devices of KBiNMOS technology which are composed of bipolar transistor, NMOS transistor, PMOS transistor, are fabricated and analyzed. For bipolar transistor, current gain is 100 at 1mA, early voltage is 39.8V, $BV_{CEO}$=8.4V. And threshold voltage is 0.62V for NMOS, -2.0V for PMOS. Although there are some non-ideal characteristics observed due to the limited facility at KAIST, our new process can give a large impact to high performance digital VLSI.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 9153
형태사항 [iii], 65 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Seog-Jun Lee
지도교수의 한글표기 : 이귀로
지도교수의 영문표기 : Kwy-Ro Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 64-65
주제 Metal oxide semiconductors.
Silicon crystals.
쌍극성 트랜지스터. --과학기술용어시소러스
NMOS. --과학기술용어시소러스
다결성. --과학기술용어시소러스
Bipolar transistors.
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