The main objective of this work is to develop a low threshold current LASER Diode by employing an inner-striped current blocking layer. An emphasis is also on the SLPE(Selective Liquid Phase Epitaxy) of the Ridge. Adopting a special current blocking structure, called AlGaAs base nPn transistor current block, we obtained a good means of current restriction. Although the threshold current of the Laser diode was rather high, 220mA for 180μm cavity length, we showed a possibility of lowering the threshold current as was demonstrated in the near field pattern characteristics.
본 논문의 주요 목적은 내부 전류 제한구조를 도입하여 레이저 다이오드의 발진개시 전류(threshold current)를 100 mA 이하로 줄이는 것 이었다. 선택적 액상애피택시에 의한 Ridge의 형성에도 역점을 두었다. AlGaAs base nPn 트랜지스터를 전류 제한구조로 채택 함으로써 광트랜지스터 효과를 막을 수 있어 활성영역의 바깥으로는 거의 누설전류가 흐르지 않도록 하는데 성공 하였다. 실제로 구현된 구조에서는 레이저 다이오드 길이가 180 μm 일때 발진 개시전류가 220 mA 로 나왔으나, 선택적 액상 애피택시가 제대로만 된다면 지붕형 반사기와 함께 쓰여 광전 집적회로에 유효하게 쓰일 수 있을 것이다.
