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Fabrication of inner-striped ridge overgrown GaAs/AlGaAs double-heterostructure LASER diode = 내부 전류 제한구조를 가진 ridge형 GaAs/AlGaAs 이중 이형접합 레이저 다이오드의 제작
서명 / 저자 Fabrication of inner-striped ridge overgrown GaAs/AlGaAs double-heterostructure LASER diode = 내부 전류 제한구조를 가진 ridge형 GaAs/AlGaAs 이중 이형접합 레이저 다이오드의 제작 / O-Seung Yang.
저자명 Yang, O-Seung ; 양오승
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1991].
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MEE 9138

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초록정보

The main objective of this work is to develop a low threshold current LASER Diode by employing an inner-striped current blocking layer. An emphasis is also on the SLPE(Selective Liquid Phase Epitaxy) of the Ridge. Adopting a special current blocking structure, called AlGaAs base nPn transistor current block, we obtained a good means of current restriction. Although the threshold current of the Laser diode was rather high, 220mA for 180μm cavity length, we showed a possibility of lowering the threshold current as was demonstrated in the near field pattern characteristics.

본 논문의 주요 목적은 내부 전류 제한구조를 도입하여 레이저 다이오드의 발진개시 전류(threshold current)를 100 mA 이하로 줄이는 것 이었다. 선택적 액상애피택시에 의한 Ridge의 형성에도 역점을 두었다. AlGaAs base nPn 트랜지스터를 전류 제한구조로 채택 함으로써 광트랜지스터 효과를 막을 수 있어 활성영역의 바깥으로는 거의 누설전류가 흐르지 않도록 하는데 성공 하였다. 실제로 구현된 구조에서는 레이저 다이오드 길이가 180 μm 일때 발진 개시전류가 220 mA 로 나왔으나, 선택적 액상 애피택시가 제대로만 된다면 지붕형 반사기와 함께 쓰여 광전 집적회로에 유효하게 쓰일 수 있을 것이다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 9138
형태사항 [iii], 34 p. : 삽도, 사진 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 양오승
지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
지도교수의 한글표기 : 권영세
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 Includes reference
주제 Injection lasers.
Diodes, semiconductor.
Gallium arsenide semiconductors.
Aluminum compounds.
리지 도파관. --과학기술용어시소러스
AlGaAs 레이저. --과학기술용어시소러스
주입 레이저. --과학기술용어시소러스
액상 성장. --과학기술용어시소러스
접합 다이오드. --과학기술용어시소러스
Epitaxy.
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