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저온 공정 a-IGZO 투명 유연 박막 트랜지스터의 특성 및 신뢰성 향상을 위한 줄 발열 열처리 = Electro-thermal annealing for advanced performance and stabilities of low temperature fabricated transparent and flexible a-IGZO thin film transistors
서명 / 저자 저온 공정 a-IGZO 투명 유연 박막 트랜지스터의 특성 및 신뢰성 향상을 위한 줄 발열 열처리 = Electro-thermal annealing for advanced performance and stabilities of low temperature fabricated transparent and flexible a-IGZO thin film transistors / 이명근.
저자명 이명근 ; Lee, Myung Keun
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2017].
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8030681

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초록정보

In accordance with the social needs of the rapidly developing IoT era, outdoor displays, smart sensors and flexible IC circuits are being implemented by applying transparent and flexible a-IGZO TFTs. As these electronic applications come closer to everyday life, they will gradually become widely used not only indoors but also outdoors. In this regard, excellent durability that operates stably even in harsh surroundings is becoming more important. The a-IGZO TFT fabricated by a low-temperature process on a flexible substrate can be easily degraded in mechanical deformation. In addition, it is inevitable to have incomplete initial characteristics and reliabilities as compared with a glass substrate produced by a high-temperature process. Therefore, a-IGZO TFT was fabricated by a low-temperature process and the annealing effect of improving the characteristics was confirmed. In addition, the effectiveness of the heat treatment for increasing the stability even under the mechanical deformation is verified. In this study, a heat treatment method using Joule heating mechanism was conducted to compensate for inevitable shortcomings in low-temperature TFT fabrication processes.

빠르게 발전하고있는 정보화 시대의 사회적 요구에 맞춰 투명하고 유연한 a-IGZO 박막 트랜지스터를 응용하여 아웃도어 디스플레이, 패션 디스플레이, 스마트 센서 등이 구현되고있다. 이러한 전자기기들은 일상생활과 가까워지면서 점차 실내가 아닌 야외에서도 널리 사용될 것이다. 이에 따라 기존보다 가혹한 주변 환경에도 안정적으로 작동을 하는 우수한 내구성이 더욱 중요해지고 있다. 유연한 기판에 저온공정으로 제작된 a-IGZO TFT 는 기계적인 변형에 특성이 쉽게 열화 될 수 있다. 또한 유리 기판에 고온공정으로 제작 될 때보다 불완전한 초기 특성 및 신뢰성을 가질 수밖에 없다. 따라서 저온 공정으로 a-IGZO TFT 를 제작하고 줄 발열 열처리를 적용하여 특성 향상의 효과를 확인하였다. 이와 더불어 기계적 변형이 가해지는 상황에서도 안정성 증대를 위한 줄 발열 열처리의 실효성을 검증하였다. 본 연구에서는 이렇게 저온 공정 a-IGZO 투명 유연 박막 트랜지스터 제작에서 불가피한 단점들을 보완할 수 있는 줄 발열을 적용한 열처리를 다루었다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 17072
형태사항 v, 32 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Myung Keun Lee
지도교수의 한글표기 : 최경철
지도교수의 영문표기 : Kyung Cheol Choi
공동지도교수의 한글표기 : 박상희
공동지도교수의 영문표기 : Sang Hee Park
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부,
서지주기 참고문헌 : p. 28-30
주제 비정질 인듐 갈륨 산화아연
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Joule heat
annealing
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