유한 요소법을 이용한 3차원 반도체 소자의 Poisson 방정식 수치 해석 = Numerical solution of poisson's equation for 3-dimensional semiconductor device using finite element method

• 서명 / 저자: 유한 요소법을 이용한 3차원 반도체 소자의 Poisson 방정식 수치 해석 = Numerical solution of poisson's equation for 3-dimensional semiconductor device using finite element method / 안기환.
• 발행사항: [대전 : 한국과학기술원, 1990].

Finite element method solution of Poisson's equation is studied for three dimensional semiconductor devices. Newton-Raphson iteration method is used to solve nonlinear equation, while linear matrix equation for each iteration step is solved by Jacobi Conjugate Gradient Method(JCGM) for numerical efficiency. Also automatic mesh refinements are incorporated with local error estimation. Delaunay tetrahedral algorithm is used for initial mesh generation and following mesh refinements.

• 형태사항: [iii], 44 p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 저자명의 영문표기 : Ki-Hwan Ahn ; 지도교수의 한글표기 : 이수영 ; 지도교수의 영문표기 : Soo-Young Lee
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 42-44
• 주제: Semiconductors. ; Poisson's equation --Numerical solutions. ; Newton-Raphson method. ; Conjugate gradient methods. ; 유한 요소법. --과학기술용어시소러스 ; 삼차원 측정. --과학기술용어시소러스 ; 반도체 소자. --과학기술용어시소러스 ; Poisson 방정식. --과학기술용어시소러스 ; Newton-Raphson법. --과학기술용어시소러스 ; Finite element method.