서지주요정보
램프 가열 방식을 이용한 LPCVD 시스템의 설계 및 제작과 폴리 실리콘 증착 = Design and implementation of lamp-heated LPCVD system and poly-Si deposition
서명 / 저자 램프 가열 방식을 이용한 LPCVD 시스템의 설계 및 제작과 폴리 실리콘 증착 = Design and implementation of lamp-heated LPCVD system and poly-Si deposition / 하용민.
저자명 하용민 ; Ha, Yong-Min
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1990].
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8001157

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학술문화관(문화관) 보존서고

MEE 9090

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초록정보

A lamp-heated LPCVD system is designed and implemented for the deposition of poly-Si, silicon nitrite, and silicon dioxide. The temperature of a water can be varied from 500℃ to 1100℃, and is settled within 10 seconds with PID control algorithm. Several films can be deposited without removal of the wafer from the vacuum chamber by changing the temperature and the flowing gas. Varying the temperature, pressure, and silane flow rate, poly-Si is deposited in order to test the system. Results show small growth rate and low activation energy, 2.5 Kcal/mole. The sheet resistance of the poly-Si doped with phosphorus measures from 50Ω/square to 4.5kΩ/square.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 9090
형태사항 iii, 55 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : 1,Ⅰ/O map. - 2, 제어 프로그램
저자명의 영문표기 : Yong-Min Ha
지도교수의 한글표기 : 김충기
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 53-55
주제 PID controllers.
Silica.
Silicon nitride.
Semiconductor films.
LPCVD. --과학기술용어시소러스
PID 동작. --과학기술용어시소러스
실리카. --과학기술용어시소러스
반도체 박막. --과학기술용어시소러스
Vapor-plating.
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