The vertical GaAs FET (Field Effect Transistor) with a 3㎛ grating period was fabricated using two different epitaxy system, LPE and MOCVD. The VFET was designed to be used as a driving transistor for vertical OEIC (Optoelectronic Integrated Circuit) applications. Several simulations were performed to comprehend the mechanisms of VFET with KADES-II. The tungsten was used as the gate metal and the selective epitaxy method was used in fabrication. The device properties only using LPE system were not sufficient to drive the laser diode. However, The VFET by MOCVD had good D.C. characteristics and was operated in depletion mode. A maximum transconductance of 22mS/mm was achieved in the devices doped at $1\times10^{16}cm^{-3}$. The Schottky contacts between the overgrown layer and the tungsten gate sustained stable characteristics.
The PBT(Permeable Base Transistor) or the SIT(Static Induction Transistor) can be fabricated by using the process sequences in this experiments.
수직형 광전 집적 회로의 LD를 구동하기 위한 수직형 전계효과 트랜지스터를 LPE 및 MOCVD epitaxy 시스템을 이용하여 제작하였다. 텅스텐 금속을 gate로 사용하였고, 선택적 epitaxy 방법이 이용되었다. LPE 만에 의해서 만들어진 VFET는 공정상의 어려움으로 출력특성이 좋지 못했으며, MOCVD를 이용한 소자의 특성은 LD를 구동하기에 충분하였다. 또한 MOCVD를 이용하여 VFET를 제작한 결과, overgrowth에 의한 Schottky 특성이 상당히 안정함을 알수 있었다. 보다 좋은 특성의 VFET를 제작하기 위해서는 gate의 유효 길이를 늘리는 것이 필요하고, doping 농도 및 grating의 주기를 줄여야 한다. 본 실험에서의 모든 공정은 초고주파용 PBT 또는 전력용 SIT 등의 제작에 기본적으로 이용될 수 있을 것이다.
