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Microwave-PCVD 방법으로 증착한 수소화된 비정질 규소 박막의 수소 희석에 관한 연구 = The effects of $H_2$ dilution on the a-Si:H films fabricated by microwave-PCVD
서명 / 저자 Microwave-PCVD 방법으로 증착한 수소화된 비정질 규소 박막의 수소 희석에 관한 연구 = The effects of $H_2$ dilution on the a-Si:H films fabricated by microwave-PCVD / 이경언.
저자명 이경언 ; Lee, Gyung-Eon
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1990].
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8000518

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초록정보

The effects of $H_2$ dilution on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films prepared by microwave-PECVD have been studied. Photoconductivity of $~10^4$ $(\Omega cm)^{-1}$ and photosensitivity of $10^6~10^4$ under $100 mW/cm^2$ white-light illumination were obtained when the ratios of gas flow rate of $H_2$ to $SiH_4$ were 10 and 25. With increasing the $H_2$ dilution ratio, photoconductivity was decreased, and Infrared absorption spectra of ($SiH_2$)n and/or $SiH_2$ stretching mode at $2100cm^{-1}$ were increased. It may be concluded that a-Si:H films prepared by microwave-PECVD become poorer as the dilution ratio of $H_2$ to $SiH_4$ is increased.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MAP 9014
형태사항 [ii], 31 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Gyung-Eon Lee
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 30-31
주제 Amorphous semiconductors.
Silicon.
Thin films.
Vapor-plating.
Dilution.
수소화. --과학기술용어시소러스
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
박막. --과학기술용어시소러스
화학 증착. --과학기술용어시소러스
희석. --과학기술용어시소러스
Hydrogenation.
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