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20 GHz 까지의 GaAs MESFET 칩의 특성측정 = Measurement of the scattering parameters of the GaAs MESFET chip up to 20 GHz
서명 / 저자 20 GHz 까지의 GaAs MESFET 칩의 특성측정 = Measurement of the scattering parameters of the GaAs MESFET chip up to 20 GHz / 하태숙.
저자명 하태숙 ; Ha, Tae-Suk
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1987].
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4104496

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MEE 8785

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초록정보

The measurement of the microwave scattering parameter of the chip GaAs MESFET is tried. The GaAs MESFET chip is placed on 30 mm by 20.5 mm carrier made of gold plated bronze and is connected to a microstrip transmission lines of 10 millimeter long fabricated on the allumina substrate through a bond wire. From the measurement of the ideal microstrip line fabricated from the same pattern, the microstrip lines of the jig is specified. The two port scattering parameter of the chip is then calculated from the measured data of the chip FET on jig, which included the discontinuity effect between the chip and the microstrip line and the inductance of the bonding wire. The calculated scattering parameter are accurate up to within the error of 5 percent in its amplitude degree for 8 GHz but about 10 percent and 50 degrees for 17 GHz in its amplitude and phase error, respectively.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8785
형태사항 [ii], 29 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Tae-Suk Ha
지도교수의 한글표기 : 나정웅
지도교수의 영문표기 : Jung-Woong Ra
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 수록
주제 Metal semiconductor field-effect transistors.
Strip transmission lines.
Scattering matrix.
Microwave integrated circuits.
비소화 갈륨. --과학기술용어시소러스
MESFET. --과학기술용어시소러스
마이크로 스트립 선로. --과학기술용어시소러스
산란 행렬. --과학기술용어시소러스
마이크로파 집적 회로. --과학기술용어시소러스
Gallium arsenide semiconductors.
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