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분리집속이형접합 ridge형 GaAs/AlGaAs DFB 레이저 다이오드의 제작 및 발진특성 = Fabrication and lasing characteristics of separate confinement heterostructure ridge type GaAs/AlGaAs DFB laser diode
서명 / 저자 분리집속이형접합 ridge형 GaAs/AlGaAs DFB 레이저 다이오드의 제작 및 발진특성 = Fabrication and lasing characteristics of separate confinement heterostructure ridge type GaAs/AlGaAs DFB laser diode / 김봉철.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1987].
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MEE 8714

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Separate Confinement Heterostructure Ridge Overgrown Distributed Feedback (SCH-RO-DFB) Laser Diode was fabricated by two step liquid phase epitaxy (LPE). Third order grating was formed by holographic interference lithography using Ar ion laser after the first epitaxy for distributed feedback. The ridges were overgrown by an additional selective liquid phase epitaxy with r.f. sputtered $SiO_2$ mask. Electrical and optical properties of the fabricated laser diodes were investigated. From the investigation of spectral and luminescence-current (L-I) characteristics, DFB lasing action is observed, sometimes, together with the Fabry Perot mode osciallations for laser diodes with two cleaved facets. The coexistence of the two lasing modes was consistently confirmed from the spectral and L-I characteristics. Contrary to the strong dependence of the lasing wavelength of the pumping current for the Fabry Perot modes (117.5 Å/A), much smaller dependence of 6.7Å/A which corresponds to the refractive index change with injection current was observed for the DFB modes.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8714
형태사항 iv, 70 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Bong-Cheol Kim
지도교수의 한글표기 : 권영세
지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 68-70
주제 Liquid crystals.
Diodes, Semiconductor.
Injection lasers.
Lasers --Resonators.
반도체 레이저. --과학기술용어시소러스
리지 도파관. --과학기술용어시소러스
액상 성장. --과학기술용어시소러스
레이저 발진. --과학기술용어시소러스
다이오드. --과학기술용어시소러스
Epitaxy.
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