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ED MOS 논리 LSI의 지연시간 모델링과 다지연 논리 시뮬레이터 = Delay time modeling for ED MOS logic LSI and multiple delay logic simulator
서명 / 저자 ED MOS 논리 LSI의 지연시간 모델링과 다지연 논리 시뮬레이터 = Delay time modeling for ED MOS logic LSI and multiple delay logic simulator / 김경호.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1987].
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This paper concerns with an accurate delay time modeling of the ED MOS logic gates and its application to the multiple delay logic simulator. The proposed delay model of the ED MOS logic gate takes account of the effects of not only the loading conditions but also the slope of the input waveform. Defining delays as the time spent by the current imbalance of the active inverter to charge and discharge the output load, with respect to physical reference levels, rise and fall mode delay times are obtained in an explicit formulation, using optimized weighting currents at the end points of the voltage transition. The propagation delay times of the transmission gate are precisely analyzed according to two operations modes, that is, synchronous mode and asynchronous mode. A logic simulator which uses multiple rise/fall delays based on the model as described in the above has been developed. The new delay model and timing verification method are evaluated with respect to delay time accuracy and execution time.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 8711
형태사항 iii, 65 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : 1, Mosfet model. - 2, Input data card
저자명의 영문표기 : Kyung-Ho Kim
지도교수의 한글표기 : 박송배
지도교수의 영문표기 : Song-Bai Park
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 62-65
주제 Logic design.
Computer simulation.
Metal oxide semiconductors.
논리 시뮬레이션. --과학기술용어시소러스
지연 특성. --과학기술용어시소러스
LSI. --과학기술용어시소러스
MOS 집적 회로. --과학기술용어시소러스
Delay lines.
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