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a-Si:H 에서 정상상태 포토루미네선스의 온도 의존성에 관한 연구 = Temperature dependence of steady state photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon
서명 / 저자 a-Si:H 에서 정상상태 포토루미네선스의 온도 의존성에 관한 연구 = Temperature dependence of steady state photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon / 한정균.
저자명 한정균 ; Han, Jeong-Kyun
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1987].
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4104167

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초록정보

The temperature dependence of steady state photoluminescence(PL) is investigated for undoped and phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicons. Plots of $\log(I_0/I-1)$ vs. T are obtained from experimental data, where I is PL intensity at temperature T and $I_0$ is a maximum PL intensity. PL quenching mechanisms dominent in three temperature regions respectively are discussed. In low temperature region (←70℃K), an experimental law, $I_0/I-\infty T^{\gamma}$, is found, where γ is a sample dependent constant. In this temperature region, dominant PL quenching mechanism is due to a capture to defects occuring in diffusion during thermalization of electrons to demarcation level. In second temperature region, plots of $\log(I_0/I-1)$ vs. T show linearity. Dominant quenching mechanism is thermal ionization of electrons from band tail states. In third temperature region, the linearity does not hold any longer. All thermal ionized carriers are not nonradiatively captured to defects but a part of carriers recombine radiatively.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MAP 8720
형태사항 ii, 36 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jeong-Kyun Han
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 35-36
주제 Amorphous semiconductors.
Silicon.
Silicon diode --Effect of temperature on.
Photoluminescence.
수소화. --과학기술용어시소러스
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
광 루미네센스. --과학기술용어시소러스
온도 종속성. --과학기술용어시소러스
Hydrogenation.
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