Thin film platinum silicide Schottky barrier IR detectors have been fabricated on p-type silicon wafers using a sputtering machine and the quantum efficiency has been measured as a function of PtSi thickness in the range of 20Å to 200Å.
For the wavelength of 1.2 um to 2.8 um, the detector with 100 Å PtSi film has shown the maximum quantum efficiency compared with others. For this detector, the highest quantum efficiency measured was 88% at the wavelength of 1.38 um. It appears that the reason for this high quantum efficiency is due to the spectral absorption as well as hot hole transport effects.
본 연구에서는 p-형 실리콘과 백금을 사용하여 백금실리사이드 쇼트키장벽 적외선 감지소자를 제작하였으며 실리사이드층의 두께 (20, 40, 60, 80, 100, 200 Å) 에 따른 양자효율을 측정하였다.
1.2 um-2.8 um 의 적외선 범위에서 100 Å 의 실리사이드를 갖는 소자가 다른 것들에 비해 최대의 광 응답을 보였으며 그것은 1.38um 의 파장에서 88% 의 양자효율을 보였다. 이것은 실리사이드층에서의 광 흡수 효과 뿐만 아니라 광자에 의해 여기된 캐리어들의 전송 효과에 기인한 것이다.
보다 정확한 측정과 전 영역에서의 광 응답을 알기 위해서 적절한 광학장치가 요구된다. 또한 실리사이드 층에서의 광 흡수를 최적화 하기위해 알루미늄 미러와 실리사이드층 사이에 존재하는 유전체막의 두께를 조절하는 것이 필요하며 보다 나은 양자효율을 얻기 위해서 p-형 실리콘 표면 위에 보론을 주입시켜 쇼트키 장벽의 높이를 낮춰주는 작업이 요구된다.
