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전자 현미경 관찰에 의한 3층 레지스트 리소그라피 연구 = Electron microscopic investigation on trilayer resist processing for fine line optical lithography
서명 / 저자 전자 현미경 관찰에 의한 3층 레지스트 리소그라피 연구 = Electron microscopic investigation on trilayer resist processing for fine line optical lithography / 남기수.
저자명 남기수 ; Nam, Kee-Soo
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1986].
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4103537

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초록정보

The major problems for achieving 1μm technology in optical lithography are mainly caused by the surface topography, reflectivity and defocusing. By using a multilayer resist process, these problems can be resolved. In this paper, the trilayer resist process of AZ 1370/$SiO_2$/AZ 4210 structure is studied. The bottom layer is coated with a thick layer (∼2μm) of AZ 4210 resist and baked over 210℃ for planarization. The baking of the bottom layer over 210℃ enhance the absorption ratio over 70% with 436 nm (g-line), which can reduce standing wave problem in the top resist layer: Thin intermediate layer (-1700 A˚) is formed with SOG (spin on glass) or PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) oxide. The top layer is coated with AZ 1370 for fine pattern delineation. After exposure and development of top resist layer, the intermediate layer is etched by reactive ion etching using $C_2F_6$ and $CHF_3$ gas mixture. The planarized bottom layer is then etched by reactive ion etching in a gas mixture of $O_2$ and $SF_6$ or $C_2CIF_5$. In defining 1μm features, this process makes good line width control and high aspect ratio over 1μm step, and which is confirmed by Scanning Electron Microscopy.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MAP 8611
형태사항 iv, 71 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Kee-Soo Nam
지도교수의 한글표기 : 박신종
공동교수의 한글표기 : 이상수
지도교수의 영문표기 : Sin-Chong Park
공동교수의 영문표기 : Sang-Soo Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 69-71
주제 Electron microscopes.
Plasma-enhanced chemical vapor deposition.
리소 그래피. --과학기술용어시소러스
전자 현미경 관찰. --과학기술용어시소러스
표면 처리. --과학기술용어시소러스
Lithography.
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