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B-doped a-Si:H 의 조광에 의한 전기전도도 변화에 대한 연구 = Light-induced conductivity change in B-doped hydrogenated amorphous silicon
서명 / 저자 B-doped a-Si:H 의 조광에 의한 전기전도도 변화에 대한 연구 = Light-induced conductivity change in B-doped hydrogenated amorphous silicon / 박경룡.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1986].
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초록정보

The light induced effect and the change of recombination processes with Fermi level shift are investigated by dark- and photo-conductivity measurements respectively. The fast increase of the photoconductivity $σ_{ph}$ by two orders of magnitude is observed when the dark Fermi level has moved to a position between 0.45 and 0.50eV above valence band; at this stage bimolecular recombination also takes over. From the relation between illumination time and Fermi level shift, the relative distribution of the density of gap states is obtained. Here we note that the transition between two recombination processes should be taken into consideration. A valley in the distribution of densitiy of states is found near 0.4 eV above valence band. The surface effects in B-doped samples are considered in each cases.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8613
형태사항 iv, 45 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Gyeong-Lyong Park
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 43-45
주제 Silicon.
Electric conductivity.
Boron.
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
전기 전도. --과학기술용어시소러스
붕소. --과학기술용어시소러스
Amorphous semiconductors.
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