서지주요정보
유전체 공진기를 사용한 X-band GaAs MESFET 발진기 = GaAs MESFET oscillator with a dielectric resonator in the X-band
서명 / 저자 유전체 공진기를 사용한 X-band GaAs MESFET 발진기 = GaAs MESFET oscillator with a dielectric resonator in the X-band / 윤찬의.
저자명 윤찬의 ; Youn, Chan-Yeu
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1985].
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4103211

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MEE 8539

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초록정보

An X-band Oscillator using a dielectric resonator and GaAs MESFET is designed and constructed. A GaAs FET oscillator stabiized by ceramic dielectric resonator provide a high frequency stabilization and low-noise compact microwave power source. The ceramic resonator has an expansion coefficient which offsets of dielectric constant and gives a small temperature coefficient at the resonant frequency. Output power of 24mW with 18% efficiency and a frequency tunning range as broad as 700 MGHz are obtained at 10.7 GHz. The hysteresis of the output power and oscillation frequency by varying bias voltage of FET and the tunning of the resonator are precisely measured and the equvalent circuit representation of the resonator is identified.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8539
형태사항 [ii], 38 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Chan-Yeu Youn
지도교수의 한글표기 : 나정웅
지도교수의 영문표기 : Jung-Woong Ra
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 36-38
주제 Dielectric resonators.
Metal semiconductor field-effect transistors.
Oscillators, microwave.
MESFET. --과학기술용어시소러스
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
유전체 공진기. --과학기술용어시소러스
고주파 발진기. --과학기술용어시소러스
마이크로파 회로. --과학기술용어시소러스
Gallium arsenide semiconductors.
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