Projection lithography system 제작 및 fine line pattern 생성 = Fine line pattern generation using projection lithography system

• 서명 / 저자: Projection lithography system 제작 및 fine line pattern 생성 = Fine line pattern generation using projection lithography system / 박기성.
• 발행사항: [서울 : 한국과학기술원, 1985].

In this thesis, projection lithography system was fabricated. The objective lens of the system has a numerical aperture (N.A.) of 0.25 × 10. The illumination wavelength is 0.44 um. The resolution and depth of focus of the system are 1.1 um and ± 3.5 um, respectively.
The patterns with 1,2,3 um line width were generated on Si substrate with AZ1350J positive photoresist, and the relation between resolution and field size was measured.

• 형태사항: [ii], 58 p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 저자명의 영문표기 : Ki-Sung Park ; 지도교수의 한글표기 : 권영세 ; 지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 57-58
• 주제: Photoresists. ; Photolithography. ; 포토레지스트. --과학기술용어시소러스 ; 대물 렌즈. --과학기술용어시소러스 ; 빔 집속. --과학기술용어시소러스 ; 분해능. --과학기술용어시소러스 ; 회로 패턴 생성. --과학기술용어시소러스 ; Resolution (Optics)