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수소화된 비정질규소의 순간적 광전기 전도도 감쇠에 관한 연구 = Transient photoconductivity decay in hydrogenated amorphous silicon
서명 / 저자 수소화된 비정질규소의 순간적 광전기 전도도 감쇠에 관한 연구 = Transient photoconductivity decay in hydrogenated amorphous silicon / 이재희.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1985].
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초록정보

The dispersive photoconductivity decay following a short-pulse excitation in phosphorus-doped and undoped hydrogenated amorphous silicon prepared by RF glow discharge decomposition of silane has been investigated. It is found that the dispersion parameter is temperature dependent as expected for extended-state transport controlled by multiple trapping. The dispersion parameter is nearly linear to the applied field. The recombination lifetime in undoped a-Si:H is also determined from the transient photoconductivity decay and found to be on the order of $10^{-6} sec$. The density of localized states is obtained for a small energy range corresponding to the time scale of the observation. The activation energy obtained from the transient photoconductivity decay is proportional to ln(t) and the result is compared with the Tiedje model.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8528
형태사항 [ii], 38 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jae-Hee Lee
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 37-38
주제 Amorphous semiconductors.
Photoconductivity.
수소화. --과학기술용어시소러스
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
광전도. --과학기술용어시소러스
Hydrogenation.
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