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p-i-n 형 비정질 규소 태양전지의 효율에 관한 연구 = Conversion efficiency of p-i-n amorphous silicon solar cells
서명 / 저자 p-i-n 형 비정질 규소 태양전지의 효율에 관한 연구 = Conversion efficiency of p-i-n amorphous silicon solar cells / 윤정기.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1985].
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4103346

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초록정보

The photovoltaic conversion efficiency of p-i-n amorphous silicon solar cells have been calculated by computer simulation, and the effect of the increase of hole diffusion length $L_p$ on the cell performance was investigated. In the calculation of space charge distribution in a-Si films, the shifted-U form was assumed for the distribution function of the density of states in the gap. The computed cell characteristics were compared with the experimentally measured performances, and the theoretical limit efficiency of the p-i-n solar cell was estimated to be 12.3% assuming 0.15 um of $L_p$. The efficiency can be increased up to 13.3% by adding multiple internal reflections.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8523
형태사항 [ii], 42 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jung-Kee Yoon
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 39-40
주제 Silicon.
Solar cells.
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
태양 전지. --과학기술용어시소러스
Amorphous semiconductors.
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