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수소화된 비정질 규소의 조광에 의한 전기 전도도 변화에 관한 연구 = Light induced conductivity change in hydrogenated amorphous silicon
서명 / 저자 수소화된 비정질 규소의 조광에 의한 전기 전도도 변화에 관한 연구 = Light induced conductivity change in hydrogenated amorphous silicon / 김석근.
저자명 김석근 ; Kim, Suk-Keun
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1985].
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MAP 8506

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초록정보

The light induced effect in boron doped and phosphorous doped amorphous silicon films has been investigated by conductivity measurements. After illumination for one hour at AM-1, the conductivities were decreased to $10^{-2}~10^{-3}$ of their original values and the activation energies were increased by 0.1~0.25eV. From the relation between illumination time and Fermi level shift, the density of states at Fermi level was obtained. For 500 ppm phosphorous doped sample, it was found that a valley in the distribution of density of states existed at 0.5eV below conduction band. It was also found that the activation energies of slightly boron and phosphorous doped samples changed by large amount after illumination, and it can be explained by negative correlation energy.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8506
형태사항 iv, 35 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Suk-Keun Kim
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 33-35
주제 Hydrogenation.
Silicon.
Electric conductivity.
수소화. --과학기술용어시소러스
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
광전도. --과학기술용어시소러스
Amorphous semiconductors.
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