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N-Channel MOSFET 의 parameter 추출과 소자 simulation = Parameter extraction and device simulation on N-channel MOSFET's
서명 / 저자 N-Channel MOSFET 의 parameter 추출과 소자 simulation = Parameter extraction and device simulation on N-channel MOSFET's / 진주현.
저자명 진주현 ; Jin, Joo-Hyun
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1984].
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4102619

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MEE 8432

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초록정보

I/V characteristics of several silicon gate n-channel MOSFET's were obtained and used to extract the SPICE2.G MOSFET model parameters using the least square method. A reasonable agreement has been obtained between the I/V characteristics from the measurement and that reconstructed from the measured data using SPICE model equations. A 2-dimensional distribution of the electron, impurity concentration, mobility and potential has been obtained for short and long channel devices using MINIMOS, a 2-dimensional MOSFET simulation program. Two dimensional data obtained from MINIMOS were displayed using graphic software such as surface plotting routine, and contour generator.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8432
형태사항 [iv], 77 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : 측정소자 제작과정
저자명의 영문표기 : Joo-Hyun Jin
지도교수의 한글표기 : 경종민
지도교수의 영문표기 : Chong-Min Kyung
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 63-65
주제 Parameter estimation.
Electron mobility.
Semiconductors --Impurity distribution.
Computer simulation.
MOSFET. --과학기술용어시소러스
파라미터 추정. --과학기술용어시소러스
불순물 분포. --과학기술용어시소러스
이온 이동도. --과학기술용어시소러스
시뮬레이션. --과학기술용어시소러스
Metal oxide semiconductor field effect transistors.
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