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박막 백금 실리사이드 쇼트키 장벽을 이용한 적외선 감지소자의 제작 및 해석 = Fabrication and analysis of thin film platinum silicide schottky barrier IR detector
서명 / 저자 박막 백금 실리사이드 쇼트키 장벽을 이용한 적외선 감지소자의 제작 및 해석 = Fabrication and analysis of thin film platinum silicide schottky barrier IR detector / 박흥준.
저자명 박흥준 ; Park, Heung-Joon
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1984].
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4102604

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MEE 8417

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초록정보

In this study, platinum silicide Schottky diodes for detecting infrared ray were fabricated on p-type silicon wafer and quantum yield was measured. The thickness of platinum silicide film is about 300 Å, so it is classified into thin film Schottky barrier detector ( SBD ). Measured quantum yield is 1.27% at 2 um and barrier height of platinum silicide Schottky diode is about 0.24eV at 90˚K. IR absorptance within platinum silicide was simulated using matrix method which is used for multi-thin layer structure, and also quantum yield model developed by W.F.Kosonocky was simulated. Quantum yield of thin film SBD at a wavelength of 2 um is about 10 times higher than the quantum yield of thick film SBD. According to the simulation results, the improvement by a factor of 7 is attributed to the increase of IR absorptance, and the additional improvement by a factor of 1.5 is due to an increase in the internal photoemission.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 8417
형태사항 [iv], 56 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 Appendix : A, Platinum silicide 에서의 적외선 흡수 simulation. - B, 양자 효율 simulation
저자명의 영문표기 : Heung-Joon Park
지도교수의 한글표기 : 경종민
지도교수의 영문표기 : Chong-Min Kyung
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 55-56
주제 Infrared detectors.
Thin film devices.
쇼트기 장벽 다이오드. --과학기술용어시소러스
적외선 광원. --과학기술용어시소러스
광 검출기. --과학기술용어시소러스
반도체 박막. --과학기술용어시소러스
Diodes. Schottky-barrier.
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