혼합기용 Schottky diode 의 마이크로파내 회로정수의 측정 연구 = Measurement of microwave circuit parameters of a schottky barrier diode

• 서명 / 저자: 혼합기용 Schottky diode 의 마이크로파내 회로정수의 측정 연구 = Measurement of microwave circuit parameters of a schottky barrier diode / 박공만.
• 발행사항: [서울 : 한국과학기술원, 1984].

The equivalent circuit of GaAs Schottky barrier diode is modelled and its parameters are determined from measured data. The admittance of the diode with external bias from -1 to 0.6 volt is measured at intervals of 0.1 GHz between 11.7 and 12.2 GHz.
Equivalent 5 circuit parameters of the diode including nonlinear conductance and capacitance are calculated by a computer optimization program from the 5 measured data points of different frequencies. This result is compared with the theoretical values of the diode in the low frequency region.

• 형태사항: [ii], 35, [9] p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 부록 : Optimization program ; 저자명의 영문표기 : Kong-Mahn Park ; 지도교수의 한글표기 : 나정웅 ; 지도교수의 영문표기 : Jung-Woong Ra
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 34-35
• 주제: Electric circuits, equivalent. ; Microwave circuits. ; Gallium arsenide semiconductors. ; Electric circuits, nonlinear. ; 쇼트기 장벽 다이오드. --과학기술용어시소러스 ; 마이크로파 회로. --과학기술용어시소러스 ; 등가 회로. --과학기술용어시소러스 ; 비선형 회로. --과학기술용어시소러스 ; 비소화갈륨. --과학기술용어시소러스 ; Diodes, Schottky-barrier.