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혼합기용 Schottky diode 의 마이크로파내 회로정수의 측정 연구 = Measurement of microwave circuit parameters of a schottky barrier diode
서명 / 저자 혼합기용 Schottky diode 의 마이크로파내 회로정수의 측정 연구 = Measurement of microwave circuit parameters of a schottky barrier diode / 박공만.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1984].
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MEE 8414

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초록정보

The equivalent circuit of GaAs Schottky barrier diode is modelled and its parameters are determined from measured data. The admittance of the diode with external bias from -1 to 0.6 volt is measured at intervals of 0.1 GHz between 11.7 and 12.2 GHz. Equivalent 5 circuit parameters of the diode including nonlinear conductance and capacitance are calculated by a computer optimization program from the 5 measured data points of different frequencies. This result is compared with the theoretical values of the diode in the low frequency region.

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청구기호 {MEE 8414
형태사항 [ii], 35, [9] p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 : Optimization program
저자명의 영문표기 : Kong-Mahn Park
지도교수의 한글표기 : 나정웅
지도교수의 영문표기 : Jung-Woong Ra
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 34-35
주제 Electric circuits, equivalent.
Microwave circuits.
Gallium arsenide semiconductors.
Electric circuits, nonlinear.
쇼트기 장벽 다이오드. --과학기술용어시소러스
마이크로파 회로. --과학기술용어시소러스
등가 회로. --과학기술용어시소러스
비선형 회로. --과학기술용어시소러스
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
Diodes, Schottky-barrier.
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