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진공 증착에 의한 미세 결정 실리콘의 제작 및 특성 = Fabrication and characterization of μc-Si by electron gun evaporation
서명 / 저자 진공 증착에 의한 미세 결정 실리콘의 제작 및 특성 = Fabrication and characterization of μc-Si by electron gun evaporation / 최석호.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1984].
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4102386

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MAP 8426

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초록정보

Structural, electrical, and optical properties of the vacuum evaporated microcrystalline silicon films have been investigated. The films show a preferential growth of the (220) face at low temperatures and the (111) face can be changed into (110) or (200) growth according to the deposition rate. The volume fraction of the crystallites and the size of a crystallite are increased by raising the substrate temperature. As the volume fraction of crystallites increases, the conductivity activation energy of μc-Si is decreased and optical gap is increased. The increase of optical gap with crystallite volume fraction is due to the second indirect transition $Γ'_{25}'→L_1$ of single crystalline Si.

서지기타정보

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청구기호 {MAP 8426
형태사항 ii, 46 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Suk-Ho Choi
지도교수의 한글표기 : 김종진
공동교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Jong-Jean Kim
공동교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 43-44
주제 Silicon.
Thin films.
진공 중착. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
박막. --과학기술용어시소러스
Evaporation.
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