337.1 nm 의 광파장을 이용한 $SiHCl_3$ 의 광 염소화 반응에서의 전체반응 속도는 다음 식으로 주어진다.
$d (SiCl_4)/dt = k_{\stackrel{\circ}{T}} (Cl_2) Ia^{\frac{1}{2}}$
이 반응 속도식은 다음의 메카니즘으로 설명 할 수 있었다.
◁수식 삽입▷(원문을 참조하세요)
$Cl_2$ 의 량이 $SiHCl_3$ 의 량에 비해 상당히 적은 실험 조건하 에서의 반응 속도식은 다음식으로 주어짐을 알았다.
$d (SiCl_4)/dt = k_3 (Cl_2) Ia^{\frac{1}{2}}/k_8^{\frac{1}{2}}$
위에 주어진 두 식들로부터 $k_{\stackrel{\circ}{T}} = k_3/k_8^{\frac{1}{2}}$ 의 관계를 얻을 수 있었으며, 실험에 의해 구한 $k_{\stackrel{\circ}{T}}$ 는 다음 식으로 대표됨을 알았다.
$\log k_{\stackrel{\circ}{T}} = (7.96 ± 0.60) - (8670 ± 850)/4.58 T$
회전 섹터 방법을 이용하여 연쇄 운반체의 수명을 측정하였으며, 그 값은 $ τ = (1.65 ± 0.50) × 10^{-2}초$ 이었다. 연쇄 종결 반응(8)의 반응 속도 상수는 다음 관계, 즉 $ τ = \frac{1}{2} (Ia k_8)^{-\frac{1}{2}}$ 로 부터 $5.42 × 10^{13} 1 mol^{-1} sec^{-1}$ 임을 알았다. 연쇄 전파 반응 속도 상수, $k_3$ 는 $k_8$ 의 값으로부터 얻을 수 있었으며, 온도 변화에 따른 이들 값은 $22℃$ 에서 $2.85 \times 10^8, 38℃$ 에서 $4.36 × 10^8, 50℃$ 에서 $1.07 × 10^9$ 그리고 $70℃$ 에서 $2.09 × 10^9 l mol^{-1} sec^{-1}$ 임을 알았다.
라디칼 재결합 반응에서의 활성화 에너지는 영이므로, $E_8 = 0$, 따라서 $k_3$ 와 $k_8$ 는 다음과 같이 일반식으로 나타낼수 있었다.
$log k_3 = 14.80 - 8670/4.58 T$
$log k_8 = 13.68$
$k_3$ 와 $k_8$ 에서의 Arrhenius A 인자가 $CHCl_3$ 반응에서의 값보다 큰 값을 보이고 있는데, 이와같은 현상을 전이상태에서의 실리콘 d 궤도 함수에 의한 기여로써 설명하였다.
