비정질 $As_2S_3$ 박막에 홀로그램의 저장 = Holographic storage in thin film of amorphous $As_2S_3$

• 서명 / 저자: 비정질 $As_2S_3$ 박막에 홀로그램의 저장 = Holographic storage in thin film of amorphous $As_2S_3$ / 원태영.
• 발행사항: [서울 : 한국과학기술원, 1983].

The results of experiments involving the storage of hologram in evaporated thin film of $As_2S_3$ (arsenic trisulfide) and $LiNbO_3$ (Lithium Niobate) are presented. Gratings have been formed in the recording materials by direct exposure without subsequent processing. Optically induced refractive index changes have been observed with laser exposure. A simple relationship between diffraction efficiency and exposure time is discussed.

• 형태사항: [ii], 48 p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 한국어
• 일반주기: 부록 수록 ; 저자명의 영문표기 : Tae-Young Won ; 지도교수의 한글표기 : 신상영 ; 지도교수의 영문표기 : Sang-Yung Shin
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: 참고문헌 : p. 36-37
• 주제: Refractive index. ; Thin film devices. ; Diffraction gratings. ; 홀로그램 기억. --과학기술용어시소러스 ; 박막 광학. --과학기술용어시소러스 ; 홀로그래픽 격자. --과학기술용어시소러스 ; 비정질 반도체. --과학기술용어시소러스 ; Holography.