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Design, fabrication, and operation of 16×16 CCD area image sensor using overlapping double polysilicon gate : dark current = 다결정 실리콘 전극을 이용한 이차원 영상 감지 전하 결합 소자의 설계, 제작및 동작 : 암전류
서명 / 저자 Design, fabrication, and operation of 16×16 CCD area image sensor using overlapping double polysilicon gate : dark current = 다결정 실리콘 전극을 이용한 이차원 영상 감지 전하 결합 소자의 설계, 제작및 동작 : 암전류 / Ji-Chai Jeong.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1982].
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4101848

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MIEL 8221

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초록정보

A charge-coupled image sensor of the vertical frame transfer organization has been implemented with two phase overlapped n-type polysilicon gates. The device has 16 vertically interlaced rows of elements and 16 resolution elements per line. The total imaging setup consisting of optical microscope, clock generators and clock drivers, staircase signal generators, and oscilloscope was easily achieved with the aid of PROM. The operation of the two dimensional image sensors was successful with proper operating frequency of 100 kHz, clock voltage from 0 V to 8 V, and dark current density of 100 nA/㎠ . The alphabet was displayed in this imaging setup as the sample pattern.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MIEL 8221
형태사항 [ii], 91 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 정지채
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
지도교수의 한글표기 : 김충기
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 Reference : p. 87-91
주제 Charge coupled devices.
Picture perception.
Resolution (Optics)
Polycrystalline semiconductors.
PROM. --과학기술용어시소러스
전하 결합 소자. --과학기술용어시소러스
다결정. --과학기술용어시소러스
패턴 인식. --과학기술용어시소러스
분해능. --과학기술용어시소러스
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