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수소 첨가 공정이 보론 확산에 미치는 영향에 관한 연구 = A study on the influence of hydrogen injection process on boron diffusion
서명 / 저자 수소 첨가 공정이 보론 확산에 미치는 영향에 관한 연구 = A study on the influence of hydrogen injection process on boron diffusion / 차진종.
저자명 차진종 ; Cha, Jin-Jong
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1982].
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4101740

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MEE 8231

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초록정보

Boron diffusion in silicon from a boron nitride source (PDS BN-975) with hydrogen injection has been studied experimentally. The predeposition temperature is 930℃ the percentage of $H_2$ is varied from 0% to 4%, and soak times of the samples are 15 min., 30 min., 50 min.. The minimum wafer-to-wafer sheet resistance variations are ±2% when 2% hydrogen is added. Oxidation induced stacking faults are inspected with Wright Etch. In hydrogen injection process, the OSF shrinkage is enhanced by about 15% when compaired with non-hydrogen process. The reduction of masking oxide thickness at 930℃, 50 min. soak time is about 1600Å with 2% - $H_2$ process. In non-hydrogen process, only about 1000Å of masking oxide is consumed. Finally, MOS capacitors with diffused channel stop have been fabricated and storage time is measured. From this experiment, it has been shown that the hydrogen injection process gives longer storage time than non-hydrogen process for the diffusion of channel stop region.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 8231
형태사항 iii, 89 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jin-Jong Cha
지도교수의 한글표기 : 김충기
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 82-88
주제 Diffusion in hydrology.
MOS 집적회로. --과학기술용어시소러스
수소화붕소 첨가 반응. --과학기술용어시소러스
열 확산. --과학기술용어시소러스
Metal oxide semiconductors.
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